图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 5,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 25V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 29A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 1.8 mOhm @ 30A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 39nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 2800pF @ 12V |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 8TDSON EP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 25 V |
| 最大连续漏极电流 | 29 A |
| RDS -于 | 1.8@10V mOhm |
| 最大门源电压 | 20 V |
| 典型导通延迟时间 | 5.5 ns |
| 典型上升时间 | 4.4 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns |
| 典型下降时间 | 3.6 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 29A (Ta), 100A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 25V |
| 供应商设备封装 | PG-TDSON-8 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 1.8 mOhm @ 30A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 69W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2800pF @ 12V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 39nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | BSC018NE2LSCT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 100 A |
| 封装/外壳 | TDSON-8 |
| 零件号别名 | BSC018NE2LSATMA1 SP000756336 |
| 下降时间 | 3.6 ns |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 商品名 | OptiMOS |
| 配置 | Single Quad Drain |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 正向跨导 - 闵 | 140 S |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 系列 | BSC018NE2 |
| RDS（ON） | 1.8 mOhms |
| 功率耗散 | 69 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 4.4 ns |
| 漏源击穿电压 | 25 V |
| 栅极电荷Qg | 19 nC |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.2 V to 2 V |
| 宽度 | 5.15 mm |
| Qg - Gate Charge | 19 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 100 A |
| 长度 | 5.9 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.8 mOhms |
| 身高 | 1.27 mm |
| Pd - Power Dissipation | 69 W |
| 技术 | Si |
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